主營(yíng)產(chǎn)品：
DYNEX BUSSMANN BUSSMANN熔斷器 FERRAZ熔斷器 IXYS可控硅 ABB可控硅 INFINEON模塊
西門康IGBT IGBT模塊
聯(lián)系我們
聯(lián)系人：王先生 郭先生 李小姐
服務(wù)專線：13522816641
電 話：010-62842129 82176483
傳 真：010-62561983
QQ： 871252939
QQ： 871252939
MSN：jia_li_da_shi@hotmail.com
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網(wǎng)站m.jswy88.com 查看相關(guān)的產(chǎn)品，
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時(shí)5S的服務(wù)
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網(wǎng)站m.jswy88.com 查看相關(guān)的產(chǎn)品，
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時(shí)5S的服務(wù)
新聞詳情
高頻淬火設(shè)備中的 IGBT模塊 的工作原理
日期：2025-12-27 21:48
瀏覽次數(shù)：2018
摘要：
高頻淬火設(shè)備 中的IGBT模塊的工作原理：
大家都知道現(xiàn)在市場(chǎng)上的 高頻淬火設(shè)備 有電子管高頻也有IGBT高頻淬火設(shè)備，那么所謂的IGBT高頻淬火設(shè)備所使用的IGBT模塊它在高頻淬火設(shè)備中的作用是什么呢，來(lái)詳細(xì)介紹下IGBT的性能吧。
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、**率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。
IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見(jiàn)下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí)，由于開(kāi)關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降溫等使用。
檢測(cè)高頻淬火設(shè)備IGBT模塊的方法以兩單元為例:用模擬萬(wàn)用表測(cè)量
靜態(tài)測(cè)量:把萬(wàn)用表放在乘100檔,測(cè)量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大; 表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.用同樣的方法,測(cè)量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大;表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個(gè) 單元沒(méi)有明顯的故障.
動(dòng)態(tài)測(cè)試: 把萬(wàn)用表的檔位放在乘10K檔,用黑表筆接4端子,紅表筆接5端子,此時(shí)黑表筆接3端子紅表筆接1端子, 此時(shí)電阻應(yīng)為300-400毆,把表筆對(duì)調(diào)也有大約300-400毆的電阻表明此IGBT單元是完好的. 用同樣的方法測(cè)試1、2端子間的IGBT,若符合上述的情況表明該IGBT也是完好的.將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極（D），紅表筆接IGBT 的源極（S），此時(shí)萬(wàn)用表的指針指在無(wú)窮處。用手指同時(shí)觸及一下柵極（G）和漏極（D），這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值 較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下源極（S）和柵極（G），這時(shí)IGBT 被阻 斷，萬(wàn)用表的指針回到無(wú)窮處。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。
大家都知道現(xiàn)在市場(chǎng)上的 高頻淬火設(shè)備 有電子管高頻也有IGBT高頻淬火設(shè)備，那么所謂的IGBT高頻淬火設(shè)備所使用的IGBT模塊它在高頻淬火設(shè)備中的作用是什么呢，來(lái)詳細(xì)介紹下IGBT的性能吧。
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、**率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。
IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見(jiàn)下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí)，由于開(kāi)關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降溫等使用。
檢測(cè)高頻淬火設(shè)備IGBT模塊的方法以兩單元為例:用模擬萬(wàn)用表測(cè)量
靜態(tài)測(cè)量:把萬(wàn)用表放在乘100檔,測(cè)量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大; 表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.用同樣的方法,測(cè)量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大;表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個(gè) 單元沒(méi)有明顯的故障.
動(dòng)態(tài)測(cè)試: 把萬(wàn)用表的檔位放在乘10K檔,用黑表筆接4端子,紅表筆接5端子,此時(shí)黑表筆接3端子紅表筆接1端子, 此時(shí)電阻應(yīng)為300-400毆,把表筆對(duì)調(diào)也有大約300-400毆的電阻表明此IGBT單元是完好的. 用同樣的方法測(cè)試1、2端子間的IGBT,若符合上述的情況表明該IGBT也是完好的.將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極（D），紅表筆接IGBT 的源極（S），此時(shí)萬(wàn)用表的指針指在無(wú)窮處。用手指同時(shí)觸及一下柵極（G）和漏極（D），這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值 較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下源極（S）和柵極（G），這時(shí)IGBT 被阻 斷，萬(wàn)用表的指針回到無(wú)窮處。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。
尊敬的客戶：
您好，我司是一支技術(shù)力量雄厚的高素質(zhì)的開(kāi)發(fā)群體，為廣大用戶提供高品質(zhì)產(chǎn)品、完整的解決方案和上等的技術(shù)服務(wù)公司。主要產(chǎn)品有 西門康IGBT IGBT模塊 FERRAZ熔斷器 IXYS可控硅 INFINEON模塊 等。 本企業(yè)堅(jiān)持以誠(chéng)信立業(yè)、以品質(zhì)守業(yè)、以進(jìn)取興業(yè)的宗旨，以更堅(jiān)定的步伐不斷攀登新的高峰，為民族自動(dòng)化行業(yè)作出貢獻(xiàn)，歡迎新老顧客放心選購(gòu)自己心儀的產(chǎn)品。我們將竭誠(chéng)為您服務(wù)！
