聯(lián)系我們
聯(lián)系人：王先生 郭先生 李小姐
服務專線：13522816641
電 話：010-62842129 82176483
傳 真：010-62561983
QQ： 871252939
QQ： 871252939
MSN：jia_li_da_shi@hotmail.com
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網站m.jswy88.com 查看相關的產品，
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時5S的服務
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網站m.jswy88.com 查看相關的產品，
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時5S的服務
文章詳情
IGBT模塊發(fā)展歷史
日期：2025-12-31 15:12
瀏覽次數(shù)：796
摘要：
IGBT模塊發(fā)展歷史
1979年，MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。IGBT模塊表現(xiàn)為一個類晶閘管的結構(P-N-P-N四層組成)，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。
1979年，MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。IGBT模塊表現(xiàn)為一個類晶閘管的結構(P-N-P-N四層組成)，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。
80年代初期，用于功率MOSFET制造技術的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導體)工藝被采用到IGBT中來。在那個時候，硅芯片的結構是一種較厚的NPT(非穿通)型設計。后來，通過采用PT(穿通)型結構的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個顯著改進，這是隨著硅片上外延的技術進步，以及采用對應給定阻斷電壓所設計的n+緩沖層而進展的。幾年當中，這種在采用PT設計的外延片上制備的DMOS平面柵結構，其設計規(guī)則從5微米先進到3微米。
90年代中期，溝槽柵結構又返回到一種新概念的IGBT，它是采用從大規(guī)模集成(LSI)工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術實現(xiàn)的新刻蝕工藝，但仍然是穿通(PT)型芯片結構。在這種溝槽結構中，實現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關斷時間之間折衷的更重要的改進。
硅芯片的重直結構也得到了急劇的轉變，先是采用非穿通(NPT)結構，繼而變化成弱穿通(LPT)結構，這就使**工作區(qū)(SOA)得到同表面柵結構演變類似的改善。
這次從IGBT模塊穿通(PT)型技術先進到非穿通(NPT)型技術，是*基本的，也是很重大的概念變化。這就是：穿通(PT)技術會有比較高的載流子注入系數(shù)，而由于它要求對少數(shù)載流子壽命進行控制致使其輸運效率變壞。另一方面，非穿通(NPT)技術則是基于不對少子壽命進行殺傷而有很好的輸運效率，不過其載流子注入系數(shù)卻比較低。進而言之，非穿通(NPT)技術又被軟穿通(LPT)技術所代替，它類似于某些人所謂的“軟穿通”(SPT)或“電場截止”(FS)型技術，這使得“成本—性能”的綜合效果得到進一步改善。
尊敬的客戶：
本公司還有FERRAZ熔斷器、INFINEON模塊、IXYS可控硅產品，您可以通過網頁撥打本公司的服務專線了解更多產品的詳細信息，至善至美的服務是我們的追求，歡迎新老客戶放心選購自己心儀產品，我們將竭誠為您服務！
